Vamos ’ continuar a aprender o processo de criação de saliências.
1. Wafer de entrada e limpeza:
Antes de iniciar o processo, a superfície do wafer pode conter contaminantes orgânicos, partículas, camadas de óxido, etc., que precisam ser limpos, seja por métodos de limpeza úmida ou a seco.
2. PI-1 Litho: (Fotolitografia de primeira camada: Fotolitografia de revestimento de poliimida)
A poliimida (PI) é um material isolante que serve como isolamento e suporte. Ele é primeiro revestido na superfície do wafer, depois exposto, desenvolvido e, finalmente, é criada a posição de abertura para a colisão.
3. Sputtering de Ti/Cu (UBM):
UBM significa Under Bump Metallization, que é principalmente para fins condutivos e prepara para galvanoplastia subsequente. O UBM é normalmente feito usando pulverização catódica por magnetron, sendo a camada de sementes de Ti/Cu a mais comum.
4. PR-1 Litho (fotolitografia de segunda camada: fotolitografia fotorresistente):
A fotolitografia do fotorresistente determinará a forma e o tamanho das saliências, e esta etapa abre a área a ser galvanizada.
5. Chapeamento Sn-Ag:
Usando tecnologia de galvanoplastia, a liga de estanho-prata (Sn-Ag) é depositada na posição de abertura para formar saliências. Neste ponto, as saliências não são esféricas e não sofreram refluxo, como mostra a imagem da capa.
6. Faixa de relações públicas:
Após a conclusão da galvanoplastia, o fotorresiste (PR) restante é removido, expondo a camada de semente de metal previamente coberta.
7. Gravura UBM:
Remova a camada de metal UBM (Ti/Cu), exceto na área da saliência, deixando apenas o metal sob as saliências.
8. Refluxo:
Passe pela solda por refluxo para derreter a camada de liga de estanho-prata e permitir que ela flua novamente, formando um formato de bola de solda suave.
9. Colocação do chip:
Após a conclusão da soldagem por refluxo e a formação das saliências, a colocação do chip é realizada.
Com isso, o processo de flip chip está completo.
Na próxima novidade, aprenderemos o processo de colocação de chips.